0 0 0
  7. APT41F100J

Транзисторные модули MOSFET APT41F100J

 
APT41F100J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 268556
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 42А; ISOTOP; винтами; Idm: 260А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
6 006.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
42А(1479340)
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом(1492329)
Рассеиваемая мощность
960Вт(1745496)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
260А(1758509)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET APT41F100J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 268556
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 42А; ISOTOP; винтами; Idm: 260А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
6 006.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
ISOTOP
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
42А
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом
Рассеиваемая мощность
960Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
260А
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g