0 0 0
  8. APT45GP120B2DQ2G

Транзисторы IGBT THT APT45GP120B2DQ2G

 
APT45GP120B2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418071
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 54А; 625Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 795.72 грн
2+
1 698.33 грн
3+
1 697.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
54А(1541494)
Ток коллектора в импульсе
170А(1750612)
Время включения
47нс(1694427)
Время выключения
230нс(1750827)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
625Вт(1741891)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
185нC(1743003)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,825 g
 
Транзисторы IGBT THT APT45GP120B2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418071
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 54А; 625Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 795.72 грн
2+
1 698.33 грн
3+
1 697.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
54А
Ток коллектора в импульсе
170А
Время включения
47нс
Время выключения
230нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
625Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
185нC
Технология
POWER MOS 7®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,825 g