0 0 0
  7. APT45GP120JDQ2

Модули IGBT APT45GP120JDQ2

 
APT45GP120JDQ2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 352366
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 079.94 грн
10+
2 952.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
34А(1478917)
Ток коллектора в импульсе
170А(1750612)
Рассеиваемая мощность
329Вт(1742136)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
POWER MOS 7®(1694410)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT45GP120JDQ2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 352366
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 079.94 грн
10+
2 952.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
34А
Ток коллектора в импульсе
170А
Рассеиваемая мощность
329Вт
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
POWER MOS 7®
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g