0 0 0
  8. APT4F120S

Транзисторы с каналом N SMD APT4F120S

 
APT4F120S
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429433
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 175Вт; D3PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
520.90 грн
3+
357.83 грн
8+
338.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
3А(1441397)
Сопротивление в открытом состоянии
4,2Ом(1617602)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
175Вт(1702078)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
43нC(1479408)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
15А(1741672)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N SMD APT4F120S
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429433
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 175Вт; D3PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
520.90 грн
3+
357.83 грн
8+
338.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
3А
Сопротивление в открытом состоянии
4,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
175Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
43нC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
15А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g