0 0 0
  8. APT4M120K

Транзисторы с каналом N THT APT4M120K

 
APT4M120K
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429597
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 225Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
456.44 грн
3+
418.33 грн
4+
322.28 грн
9+
304.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 170 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
3А(1441397)
Сопротивление в открытом состоянии
3,8Ом(1441366)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
225Вт(1701919)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
43нC(1479408)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
15А(1741672)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,947 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT4M120K
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429597
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 225Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
456.44 грн
3+
418.33 грн
4+
322.28 грн
9+
304.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 170 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
3А
Сопротивление в открытом состоянии
3,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
225Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
43нC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
15А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,947 g