0 0 0
  8. APT5010B2VRG

Транзисторы с каналом N THT APT5010B2VRG

 
APT5010B2VRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429600
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 500В; 47А; Idm: 188А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 390.28 грн
2+
1 314.59 грн
3+
1 313.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
47А(1479369)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
520Вт(1741786)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
470нC(1694860)
Технология
POWER MOS 5®(1823299)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
188А(1823201)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT5010B2VRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429600
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 500В; 47А; Idm: 188А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 390.28 грн
2+
1 314.59 грн
3+
1 313.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
47А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
520Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
470нC
Технология
POWER MOS 5®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
188А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g