0 0 0
  7. APT50GF120JRD

Модули IGBT APT50GF120JRD

 
APT50GF120JRD
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425685
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 368.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
64А(1645198)
Ток коллектора в импульсе
225А(1694415)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
NPT(1714552)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT50GF120JRD
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425685
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 368.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
64А
Ток коллектора в импульсе
225А
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
NPT
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g