Модули IGBT APT50GLQ65JU2

 
APT50GLQ65JU2
 
Артикул: 425687
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 732.87 грн
2+
1 638.85 грн
3+
1 638.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
650В(1440613)
Конструкция диода
диод/транзистор(1612509)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
140А(1441699)
Применение
двигатели(1492838)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Trench(1712977) Field Stop(1814742)
Топология
booster(1712523)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT50GLQ65JU2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425687
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 732.87 грн
2+
1 638.85 грн
3+
1 638.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
650В
Конструкция диода
диод/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
140А
Применение
двигатели
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Trench
Технология
Field Stop
Топология
booster
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g