0 0 0
  8. APT50GN120L2DQ2G

Транзисторы IGBT THT APT50GN120L2DQ2G

 
APT50GN120L2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418077
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 66А; 543Вт; TO264MAX
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 348.55 грн
3+
1 274.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264MAX(1492376)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
66А(1699291)
Ток коллектора в импульсе
150А(1441723)
Время включения
55нс(1441635)
Время выключения
0,6мкс(1587345)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
543Вт(1742139)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
315нC(1750634)
Технология
Field Stop(1814742)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT50GN120L2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418077
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 66А; 543Вт; TO264MAX
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 348.55 грн
3+
1 274.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264MAX
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
66А
Ток коллектора в импульсе
150А
Время включения
55нс
Время выключения
0,6мкс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
543Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
315нC
Технология
Field Stop
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g