0 0 0
  8. APT50GP60B2DQ2G

Транзисторы IGBT THT APT50GP60B2DQ2G

 
APT50GP60B2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418079
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 72А; 625Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 086.30 грн
3+
1 026.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
72А(1500598)
Ток коллектора в импульсе
190А(1750701)
Время включения
55нс(1441635)
Время выключения
200нс(1441703)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
625Вт(1741891)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
165нC(1479367)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT50GP60B2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418079
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 72А; 625Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 086.30 грн
3+
1 026.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
72А
Ток коллектора в импульсе
190А
Время включения
55нс
Время выключения
200нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
625Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
165нC
Технология
POWER MOS 7®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g