0 0 0
  8. APT50GT120B2RDQ2G

Транзисторы IGBT THT APT50GT120B2RDQ2G

 
APT50GT120B2RDQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418083
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 625Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 343.62 грн
3+
1 269.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
150А(1441723)
Время включения
77нс(1758622)
Время выключения
303нс(1751684)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
625Вт(1741891)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
340нC(1705681)
Технология
NPT(1714552)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT50GT120B2RDQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418083
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 625Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 343.62 грн
3+
1 269.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
150А
Время включения
77нс
Время выключения
303нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
625Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
340нC
Технология
NPT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g