0 0 0
  8. APT50GT120LRDQ2G

Транзисторы IGBT THT APT50GT120LRDQ2G

 
APT50GT120LRDQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418085
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 694Вт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 435.70 грн
2+
1 357.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
150А(1441723)
Время включения
73нс(1814627)
Время выключения
305нс(1814628)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
694Вт(1742043)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
240нC(1643365)
Технология
NPT(1714552)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT50GT120LRDQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418085
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 694Вт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 435.70 грн
2+
1 357.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
150А
Время включения
73нс
Время выключения
305нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
694Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
240нC
Технология
NPT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g