0 0 0
  7. APT51F50J

Транзисторные модули MOSFET APT51F50J

 
APT51F50J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440501
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 32А; ISOTOP; винтами; Idm: 230А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 248.04 грн
2+
2 125.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
32А(1441566)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Рассеиваемая мощность
480Вт(1741831)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
230А(1789206)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET APT51F50J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440501
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 32А; ISOTOP; винтами; Idm: 230А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 248.04 грн
2+
2 125.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
ISOTOP
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
32А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Рассеиваемая мощность
480Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
230А
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g