Производитель
MICROSEMI(934)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
54А(1541494)
Ток коллектора в импульсе
161А(1814629)
Время включения
37нс(1607623)
Время выключения
291нс(1441615)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
416Вт(1741795)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
158нC(1714166)
Технология
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)