0 0 0
  7. APT58M50JU2

Транзисторные модули MOSFET APT58M50JU2

 
APT58M50JU2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440507
Модуль; диод/транзистор; 500В; 43А; ISOTOP; винтами; Idm: 270А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 252.62 грн
2+
2 129.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Конструкция диода
диод/транзистор(1612509)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
43А(1479345)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Рассеиваемая мощность
543Вт(1742139)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Напряжение затвор-исток
Топология
booster(1712523)
Ток стока в импульсном режиме
270А(1823209)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET APT58M50JU2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440507
Модуль; диод/транзистор; 500В; 43А; ISOTOP; винтами; Idm: 270А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 252.62 грн
2+
2 129.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
ISOTOP
Конструкция диода
диод/транзистор
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
43А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Рассеиваемая мощность
543Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
POWER MOS 8®
Топология
booster
Ток стока в импульсном режиме
270А
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g