0 0 0
  7. APT58M80J

Транзисторные модули MOSFET APT58M80J

 
APT58M80J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 352353
Модуль; одиночный транзистор; 800В; 60А; ISOTOP; винтами; Idm: 325А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 933.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Рассеиваемая мощность
960Вт(1745496)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
325А(1758508)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET APT58M80J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 352353
Модуль; одиночный транзистор; 800В; 60А; ISOTOP; винтами; Idm: 325А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 933.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
ISOTOP
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Рассеиваемая мощность
960Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
325А
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g