0 0 0
  8. APT6030BVRG

Транзисторы с каналом N THT APT6030BVRG

 
APT6030BVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429652
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 600В; 21А; Idm: 84А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 363.13 грн
2+
932.71 грн
3+
881.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
21А(1441374)
Сопротивление в открытом состоянии
0,3Ом(1492261)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
298Вт(1742077)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
150нC(1479389)
Технология
POWER MOS 5®(1823299)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
84А(1758593)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT6030BVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429652
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 600В; 21А; Idm: 84А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 363.13 грн
2+
932.71 грн
3+
881.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
21А
Сопротивление в открытом состоянии
0,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
298Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
150нC
Технология
POWER MOS 5®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
84А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g