0 0 0
  7. APT60GA60JD60

Модули IGBT APT60GA60JD60

 
APT60GA60JD60
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425694
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 379.80 грн
2+
2 250.74 грн
3+
2 249.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
0,6кВ(1644524)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
60А(1441121)
Ток коллектора в импульсе
178А(1818749)
Применение
для UPS(1471489)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT60GA60JD60
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425694
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 379.80 грн
2+
2 250.74 грн
3+
2 249.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
60А
Ток коллектора в импульсе
178А
Применение
для UPS
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
POWER MOS 8®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g