0 0 0
  8. APT64GA90B2D30

Транзисторы IGBT THT APT64GA90B2D30

 
APT64GA90B2D30
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418090
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 64А; 500Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 309.90 грн
2+
907.34 грн
4+
857.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напряжение коллектор-эмиттер
900В(1440903)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
64А(1645198)
Ток коллектора в импульсе
193А(1814630)
Время включения
44нс(1441614)
Время выключения
352нс(1814631)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
500Вт(1701905)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
162нC(1750609)
Технология
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT64GA90B2D30
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418090
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 64А; 500Вт; T-Max
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 309.90 грн
2+
907.34 грн
4+
857.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напряжение коллектор-эмиттер
900В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
64А
Ток коллектора в импульсе
193А
Время включения
44нс
Время выключения
352нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
500Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
162нC
Технология
POWER MOS 8®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g