Производитель
MICROSEMI(934)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
96А(1478936)
Ток коллектора в импульсе
250А(1621601)
Время включения
85нс(1492963)
Время выключения
0,22мкс(1747764)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
833Вт(1741843)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,21мкC(1951554)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)