0 0 0
  8. APT65GP60L2DQ2G

Транзисторы IGBT THT APT65GP60L2DQ2G

 
APT65GP60L2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418093
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 96А; 833Вт; TO264MAX
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 819.19 грн
2+
1 720.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264MAX(1492376)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
96А(1478936)
Ток коллектора в импульсе
250А(1621601)
Время включения
85нс(1492963)
Время выключения
0,22мкс(1747764)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
833Вт(1741843)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,21мкC(1951554)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 10,24 g
 
Транзисторы IGBT THT APT65GP60L2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418093
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 96А; 833Вт; TO264MAX
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 819.19 грн
2+
1 720.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264MAX
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
96А
Ток коллектора в импульсе
250А
Время включения
85нс
Время выключения
0,22мкс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
833Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,21мкC
Технология
POWER MOS 7®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 10,24 g