0 0 0
  8. APT75M50B2

Транзисторы с каналом N THT APT75M50B2

 
APT75M50B2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429667
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 47А; Idm: 230А; 1,04кВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 340.12 грн
2+
927.42 грн
3+
877.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
47А(1479369)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,04кВт(1742092)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
290нC(1757699)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
230А(1789206)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT75M50B2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429667
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 47А; Idm: 230А; 1,04кВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 340.12 грн
2+
927.42 грн
3+
877.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
47А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Полярность
полевой
Заряд затвора
290нC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
230А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g