0 0 0
  8. APT7F120B

Транзисторы с каналом N THT APT7F120B

 
APT7F120B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429671
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 28А; 335Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
654.78 грн
3+
442.64 грн
7+
418.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
2,4Ом(1441594)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
335Вт(1823188)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
80нC(1479275)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
28А(1801403)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT7F120B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429671
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 28А; 335Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
654.78 грн
3+
442.64 грн
7+
418.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
2,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
335Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
80нC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
28А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g