0 0 0
  8. APT7M120S

Транзисторы с каналом N SMD APT7M120S

 
APT7M120S
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429448
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 28А; 335Вт; D3PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
718.75 грн
2+
493.08 грн
6+
466.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
2,1Ом(1459402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
335Вт(1823188)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
80нC(1479275)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
28А(1801403)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N SMD APT7M120S
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429448
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 28А; 335Вт; D3PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
718.75 грн
2+
493.08 грн
6+
466.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
2,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
335Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
80нC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
28А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g