0 0 0
  7. APT80F60J

Транзисторные модули MOSFET APT80F60J

 
APT80F60J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440530
Модуль; одиночный транзистор; 600В; 52А; ISOTOP; винтами; Idm: 447А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 464.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
52А(1599488)
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм(1441323)
Рассеиваемая мощность
961Вт(1742140)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
447А(1823260)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET APT80F60J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440530
Модуль; одиночный транзистор; 600В; 52А; ISOTOP; винтами; Idm: 447А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 464.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
ISOTOP
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
52А
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм
Рассеиваемая мощность
961Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
447А
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g