0 0 0
  8. APT84M50B2

Транзисторы с каналом N THT APT84M50B2

 
APT84M50B2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429690
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 53А; Idm: 270А; 1135Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 408.20 грн
2+
1 332.00 грн
3+
1 331.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
53А(1479379)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1135Вт(1742093)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
340нC(1705681)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
270А(1823209)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT84M50B2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429690
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 53А; Idm: 270А; 1135Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 408.20 грн
2+
1 332.00 грн
3+
1 331.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
53А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1135Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
340нC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
270А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g