0 0 0
  8. APT9F100B

Транзисторы с каналом N THT APT9F100B

 
APT9F100B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429695
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 5А; Idm: 37А; 337Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
614.66 грн
3+
421.84 грн
7+
399.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом(1501020)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
337Вт(1737072)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
80нC(1479275)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
37А(1789196)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT9F100B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429695
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 5А; Idm: 37А; 337Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
614.66 грн
3+
421.84 грн
7+
399.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
337Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
80нC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
37А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g