0 0 0
  8. APT9M100B

Транзисторы с каналом N THT APT9M100B

 
APT9M100B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429696
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 6А; Idm: 37А; 335Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
529.66 грн
3+
450.17 грн
7+
425.78 грн
10+
421.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
335Вт(1823188)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
80нC(1479275)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
37А(1789196)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,05 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT9M100B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429696
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 6А; Idm: 37А; 335Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
529.66 грн
3+
450.17 грн
7+
425.78 грн
10+
421.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
335Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
80нC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
37А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,05 g