0 0 0
  7. APTC80H29T3G

Транзисторные модули MOSFET APTC80H29T3G

 
APTC80H29T3G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440571
Модуль; транзистор/транзистор; 800В; 11А; SP3; Press-in PCB; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 784.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SP3(1694445)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,29Ом(1492417)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
SJ-MOSFET(1714492)
Напряжение затвор-исток
Топология
Н мост(1612556) термистор NTC(1612513)
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 110 g
 
Транзисторные модули MOSFET APTC80H29T3G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440571
Модуль; транзистор/транзистор; 800В; 11А; SP3; Press-in PCB; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 784.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SP3
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,29Ом
Рассеиваемая мощность
156Вт
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
SJ-MOSFET
Топология
Н мост
Топология
термистор NTC
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 110 g