0 0 0
  7. APTCV60HM45RCT3G

Транзисторные модули MOSFET APTCV60HM45RCT3G

 
APTCV60HM45RCT3G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440578
Модуль; диод SiC/транзистор; 600В; 38А; SP3F; Press-in PCB; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
8 071.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SP3F(1818802)
Конструкция диода
диод SiC/транзистор(1622294)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
38А(1479331)
Ток коллектора
50А(1440988)
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм(1441266)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
MOSFET/IGBT transistor(1827882)
Технология
SiC(1591568) CoolMOS™(1601653) Trench(1712977) Field Stop(1814742)
Напряжение затвор-исток
Топология
Н мост(1612556) термистор NTC(1612513) 1-фазный диодный мост(1645667)
Ток стока в импульсном режиме
130А(1758596)
Дополнительная информация: Масса брутто: 110 g
 
Транзисторные модули MOSFET APTCV60HM45RCT3G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440578
Модуль; диод SiC/транзистор; 600В; 38А; SP3F; Press-in PCB; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
8 071.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SP3F
Конструкция диода
диод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
38А
Ток коллектора
50А
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм
Рассеиваемая мощность
250Вт
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
MOSFET/IGBT transistor
Технология
SiC
Технология
CoolMOS™
Технология
Trench
Технология
Field Stop
Топология
Н мост
Топология
термистор NTC
Топология
1-фазный диодный мост
Ток стока в импульсном режиме
130А
Дополнительная информация: Масса брутто: 110 g