0 0 0
  7. APTGTQ100H65T3G

Модули IGBT APTGTQ100H65T3G

 
APTGTQ100H65T3G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425914
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 325.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SP3F(1818802)
Обратное напряжение макс.
650В(1440613)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
60А(1441121)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Применение
двигатели(1492838)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Trench(1712977) Field Stop(1814742)
Топология
Н мост(1612556) термистор NTC(1612513)
Дополнительная информация: Масса брутто: 110 g
 
Модули IGBT APTGTQ100H65T3G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425914
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 325.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SP3F
Обратное напряжение макс.
650В
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
60А
Ток коллектора в импульсе
200А
Применение
двигатели
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Trench
Технология
Field Stop
Топология
Н мост
Топология
термистор NTC
Дополнительная информация: Масса брутто: 110 g