0 0 0
  7. APTM100DA18TG

Транзисторные модули MOSFET APTM100DA18TG

 
APTM100DA18TG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440591
Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 33А; SP4; коннекторы FASTON,винтами
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 773.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SP4(1633572)
Конструкция диода
диод/транзистор(1612509)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
33А(1479307)
Сопротивление в открытом состоянии
0,21Ом(1737419)
Рассеиваемая мощность
780Вт(1741885)
Электрический монтаж
коннекторы FASTON(1612508) винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
POWER MOS 7®(1694410)
Напряжение затвор-исток
Топология
booster(1712523) термистор NTC(1612513)
Ток стока в импульсном режиме
172А(1789226)
Дополнительная информация: Масса брутто: 160 g
 
Транзисторные модули MOSFET APTM100DA18TG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440591
Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 33А; SP4; коннекторы FASTON,винтами
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 773.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SP4
Конструкция диода
диод/транзистор
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
33А
Сопротивление в открытом состоянии
0,21Ом
Рассеиваемая мощность
780Вт
Электрический монтаж
коннекторы FASTON
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
POWER MOS 7®
Топология
booster
Топология
термистор NTC
Ток стока в импульсном режиме
172А
Дополнительная информация: Масса брутто: 160 g