0 0 0
  7. ARF475FL

Транзисторы многоканальные ARF475FL

 
ARF475FL
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 000122
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; RF; 500В; 10А; 910Вт; T3A-8; 16дБ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
11 438.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
T3A-8(1695049)
Частота
128МГц(1694783)
Конструкция диода
общий источник(1694449)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
10А(1441290)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Усиление
16дБ(1638751)
Выходная мощность
900Вт(1629059)
Рассеиваемая мощность
910Вт(1742134)
КПД
55%(1820444)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Электрический монтаж
THT(1436424) коннекторы FASTON(1612508) пайка(1436385)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Характеристики полупроводниковых элементов
dual gate(1712730)
Вид транзистора
RF(1645036)
Вид канала
обедненный(1536799)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 100 g
 
Транзисторы многоканальные ARF475FL
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 000122
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; RF; 500В; 10А; 910Вт; T3A-8; 16дБ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
11 438.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
T3A-8
Частота
128МГц
Конструкция диода
общий источник
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
10А
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Усиление
16дБ
Выходная мощность
900Вт
Рассеиваемая мощность
910Вт
КПД
55%
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Электрический монтаж
THT
Электрический монтаж
коннекторы FASTON
Электрический монтаж
пайка
Механический монтаж
винтами
Характеристики полупроводниковых элементов
dual gate
Вид транзистора
RF
Вид канала
обедненный
Дополнительная информация: Масса брутто: 100 g