0 0 0
  8. MSC025SMA120B4

Транзисторы с каналом N THT MSC025SMA120B4

 
MSC025SMA120B4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429700
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 73А; Idm: 275А; 500Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 736.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
73А(1441561)
Сопротивление в открытом состоянии
31мОм(1479141)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
500Вт(1701905)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
232нC(1823211)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
275А(1758576)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,16 g
 
Транзисторы с каналом N THT MSC025SMA120B4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429700
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 73А; Idm: 275А; 500Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 736.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
73А
Сопротивление в открытом состоянии
31мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
500Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
232нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
275А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,16 g