Транзисторы с каналом N SMD MSC080SMA120S

 
MSC080SMA120S
 
Артикул: 429457
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 87А; 182Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 382.47 грн
2+
952.64 грн
3+
900.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
25А(1441383)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
182Вт(1823220)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
64нC(1633539)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
87А(1823219)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,955 g
 
Транзисторы с каналом N SMD MSC080SMA120S
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429457
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 87А; 182Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 382.47 грн
2+
952.64 грн
3+
900.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
25А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
182Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
64нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
87А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,955 g