0 0 0
  8. MSC080SMA330B4

Транзисторы с каналом N THT MSC080SMA330B4

 
MSC080SMA330B4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 606174
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; 26А; Idm: 100А; 381Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
9 443.24 грн
10+
9 250.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
3,3кВ(1833099)
Ток стока
26А(1441513)
Сопротивление в открытом состоянии
0,105Ом(1710956)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
381Вт(1925361)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
55нC(1632980)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,15 g
 
Транзисторы с каналом N THT MSC080SMA330B4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 606174
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; 26А; Idm: 100А; 381Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
9 443.24 грн
10+
9 250.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
3,3кВ
Ток стока
26А
Сопротивление в открытом состоянии
0,105Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
381Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
55нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,15 g