0 0 0
  8. MSC360SMA120S

Транзисторы с каналом N SMD MSC360SMA120S

 
MSC360SMA120S
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429460
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; D3PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
606.39 грн
2+
595.24 грн
3+
584.08 грн
5+
562.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 67 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
71Вт(1740779)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
21нC(1478964)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
27А(1741675)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,94 g
 
Транзисторы с каналом N SMD MSC360SMA120S
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429460
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; D3PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
606.39 грн
2+
595.24 грн
3+
584.08 грн
5+
562.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 67 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
71Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
21нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
27А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,94 g