0 0 0
  8. MSC750SMA170B4

Транзисторы с каналом N THT MSC750SMA170B4

 
MSC750SMA170B4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429714
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
560.36 грн
3+
384.06 грн
8+
363.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,7кВ(1593807)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
940мОм(1739748)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
68Вт(1708591)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
11нC(1479181)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT MSC750SMA170B4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429714
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
560.36 грн
3+
384.06 грн
8+
363.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
940мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
68Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
11нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g