0 0 0
  7. MSCSM120AM31CT1AG

Транзисторные модули MOSFET MSCSM120AM31CT1AG

 
MSCSM120AM31CT1AG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440737
Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 71А; SP1F; Press-in PCB; 395Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
12 092.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SP1F(1812793)
Конструкция диода
диод SiC/транзистор(1622294)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
71А(1479421)
Сопротивление в открытом состоянии
31мОм(1479141)
Рассеиваемая мощность
395Вт(1741829)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
SiC(1591568)
Топология
термистор NTC(1612513) MOSFET half-bridge + parrallel diodes(1826089)
Ток стока в импульсном режиме
180А(1758616)
Дополнительная информация: Масса брутто: 80 g
 
Транзисторные модули MOSFET MSCSM120AM31CT1AG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440737
Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 71А; SP1F; Press-in PCB; 395Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
12 092.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SP1F
Конструкция диода
диод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
71А
Сопротивление в открытом состоянии
31мОм
Рассеиваемая мощность
395Вт
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
SiC
Топология
термистор NTC
Топология
MOSFET half-bridge + parrallel diodes
Ток стока в импульсном режиме
180А
Дополнительная информация: Масса брутто: 80 g