0 0 0
  8. 25AA080DT-I/MNY

Памяти EEPROM последовательные 25AA080DT-I/MNY

 
25AA080DT-I/MNY
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 231949
IC: память EEPROM; 8кбEEPROM; SPI; 1024x8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3300+
49.22 грн
Мин. заказ: 3300
Кратность:  3300
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...85°C(1819326)
Корпус
TDFN8(1443833)
Рабочее напряжение
1,8...5,5В(1444220)
Тип микросхемы
память EEPROM(1775166)
Интерфейс
SPI(1443806)
Вид памяти
EEPROM(1444391)
Структура памяти
1024x8бит(1498517)
Время доступа
5мс(1498511)
Тактовая частота
10МГц(1453733)
Кол-во циклов макс.
1М(1700938)
Kind of interface
последовательный(1774881)
Память
8кб EEPROM(1979129)
Дополнительная информация: Масса брутто: 17 mg
 
Памяти EEPROM последовательные 25AA080DT-I/MNY
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 231949
IC: память EEPROM; 8кбEEPROM; SPI; 1024x8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3300+
49.22 грн
Мин. заказ: 3300
Кратность:  3300
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...85°C
Корпус
TDFN8
Рабочее напряжение
1,8...5,5В
Тип микросхемы
память EEPROM
Интерфейс
SPI
Вид памяти
EEPROM
Структура памяти
1024x8бит
Время доступа
5мс
Тактовая частота
10МГц
Кол-во циклов макс.
1М
Kind of interface
последовательный
Память
8кб EEPROM
Дополнительная информация: Масса брутто: 17 mg