0 0 0
  8. LND01K1-G

Транзисторы с каналом N SMD LND01K1-G

 
LND01K1-G
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 813517
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт; SOT23-5
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
55.03 грн
5+
45.30 грн
25+
40.04 грн
29+
34.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-5(1443487)
Напряжение сток-исток
9В(1962368)
Ток стока
0,33А(1740002)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,36Вт(1741851)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обедненный(1536799)
Ток стока в импульсном режиме
0,6А(1709879)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD LND01K1-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 813517
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт; SOT23-5
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
55.03 грн
5+
45.30 грн
25+
40.04 грн
29+
34.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-5
Напряжение сток-исток
9В
Ток стока
0,33А
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обедненный
Ток стока в импульсном режиме
0,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g