0 0 0
  8. TN2106K1-G

Транзисторы с каналом N SMD TN2106K1-G

 
TN2106K1-G
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 077609
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,6А; 360мВт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.58 грн
5+
47.70 грн
24+
41.17 грн
25+
40.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,36Вт(1741851)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,6А(1709879)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g
 
Транзисторы с каналом N SMD TN2106K1-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 077609
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,6А; 360мВт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.58 грн
5+
47.70 грн
24+
41.17 грн
25+
40.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напряжение сток-исток
60В
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g