0 0 0
  8. TP2540N8-G

Транзисторы с каналом P SMD TP2540N8-G

 
TP2540N8-G
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 140996
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
111.63 грн
3+
99.23 грн
10+
90.70 грн
11+
89.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1014 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT89-3(1443543)
Напряжение сток-исток
-400В(1492433)
Ток стока
-125мА(1942403)
Сопротивление в открытом состоянии
25Ом(1536803)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-1,2А(1810530)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,113 g
 
Транзисторы с каналом P SMD TP2540N8-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 140996
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
111.63 грн
3+
99.23 грн
10+
90.70 грн
11+
89.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1014 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT89-3
Напряжение сток-исток
-400В
Ток стока
-125мА
Сопротивление в открытом состоянии
25Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-1,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,113 g