Транзисторы с каналом P SMD TP5322N8-G

 
TP5322N8-G
 
Артикул: 140999
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 1,6Вт; SOT89-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.92 грн
3+
51.40 грн
10+
44.19 грн
23+
43.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT89-3(1443543)
Напряжение сток-исток
-220В(1536859)
Сопротивление в открытом состоянии
12Ом(1536801)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-0,7А(1709891)
Дополнительная информация: Масса брутто: 51,8 mg
 
Транзисторы с каналом P SMD TP5322N8-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 140999
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 1,6Вт; SOT89-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.92 грн
3+
51.40 грн
10+
44.19 грн
23+
43.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT89-3
Напряжение сток-исток
-220В
Сопротивление в открытом состоянии
12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-0,7А
Дополнительная информация: Масса брутто: 51,8 mg