0 0 0
  8. VN0106N3-G

Транзисторы с каналом N THT VN0106N3-G

 
VN0106N3-G
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 080306
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
3+
48.46 грн
10+
41.11 грн
26+
39.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 525 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO92(1440599)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,35А(1633294)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
2А(1709875)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,216 g
 
Транзисторы с каналом N THT VN0106N3-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 080306
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
3+
48.46 грн
10+
41.11 грн
26+
39.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 525 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
THT
Корпус
TO92
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,35А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,216 g