0 0 0
  8. VN2110K1-G

Транзисторы с каналом N SMD VN2110K1-G

 
VN2110K1-G
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 077659
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,6А; 360мВт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.49 грн
5+
38.38 грн
25+
35.43 грн
30+
31.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом(1441398)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,36Вт(1741851)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,6А(1709879)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g
 
Транзисторы с каналом N SMD VN2110K1-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 077659
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,6А; 360мВт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.49 грн
5+
38.38 грн
25+
35.43 грн
30+
31.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напряжение сток-исток
100В
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g