0 0 0
  8. VP2110K1-G

Транзисторы с каналом P SMD VP2110K1-G

 
VP2110K1-G
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 141010
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,5А; 360мВт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.98 грн
3+
48.75 грн
10+
41.36 грн
65+
38.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Сопротивление в открытом состоянии
12Ом(1536801)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,36Вт(1741851)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-0,5А(1709894)
Дополнительная информация: Масса брутто: 14,9 mg
 
Транзисторы с каналом P SMD VP2110K1-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 141010
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,5А; 360мВт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.98 грн
3+
48.75 грн
10+
41.36 грн
65+
38.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напряжение сток-исток
-100В
Сопротивление в открытом состоянии
12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-0,5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 14,9 mg