0 0 0
  8. VP2450N8-G

Транзисторы с каналом P SMD VP2450N8-G

 
VP2450N8-G
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 141011
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
185.83 грн
5+
163.28 грн
7+
141.51 грн
19+
134.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 165 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT89-3(1443543)
Напряжение сток-исток
-500В(1492282)
Ток стока
-160мА(1942402)
Сопротивление в открытом состоянии
30Ом(1441354)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-0,8А(1709889)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,086 g
 
Транзисторы с каналом P SMD VP2450N8-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 141011
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
185.83 грн
5+
163.28 грн
7+
141.51 грн
19+
134.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 165 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT89-3
Напряжение сток-исток
-500В
Ток стока
-160мА
Сопротивление в открытом состоянии
30Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,086 g