0 0 0
  8. VP3203N8-G

Транзисторы с каналом P SMD VP3203N8-G

 
VP3203N8-G
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 141012
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,1А; Idm: -4А; 1,6Вт; SOT89-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
164.35 грн
5+
150.39 грн
9+
116.28 грн
23+
109.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT89-3(1443543)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-1,1А(1492337)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-4А(1709897)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,09 g
 
Транзисторы с каналом P SMD VP3203N8-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 141012
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,1А; Idm: -4А; 1,6Вт; SOT89-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
164.35 грн
5+
150.39 грн
9+
116.28 грн
23+
109.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT89-3
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-1,1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,09 g