0 0 0
  8. 2N7002,215

Транзисторы с каналом N SMD 2N7002,215

 
2N7002,215
 
NEXPERIA
Артикул: 740850
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,19А; Idm: 1,2А; 830мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7.73 грн
10+
5.41 грн
25+
4.39 грн
100+
3.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 59092 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,19А(1702146)
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом(1441408)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,83Вт(1742124)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
Trench(1712977)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,2А(1709882)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы с каналом N SMD 2N7002,215
NEXPERIA
Артикул: 740850
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,19А; Idm: 1,2А; 830мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7.73 грн
10+
5.41 грн
25+
4.39 грн
100+
3.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 59092 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,19А
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,83Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
Trench
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g